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    产物特点：

    适用于AL2 O 3 、AIN质料

    耐高温、高导热、气密性好、高强度、低膨胀系数、优良的高频特性、高可靠性

    高至110GHz 射频设计、测试能力，可靠性设计

    应用：

     SIP、光通信、MEMS芯片、FPGA封装、CMOS图形传感器封装、车载、宇航等高可靠性芯片封装、毫米波HTCC基板

    • 主要参数

    Category

    类别

    Item

    项目

    Mark

    标志

    Standard value

    尺度设计值

    (mm)

    Public Errand

    公差

    (mm)

    Special values

    特殊设计值

    (mm)

    Public Erran

     公差

    (mm)

    结构长度X5-75±1%2-100±0.5%
    宽度Y5-75±1%2-100±0.5%
    瓷体厚度Z0.8-5.5±3%0.2-0.8±0.03
    单层厚度（1）A0.1/0.15/0.2/0.25/0.3±0.02按客户界说±0.01
    开腔距离瓷体外边缘距离B≥3*ФC///
    互联孔金属化实心孔直径ФC
    		≥0.15
                 
    		±0.015≥0.1
                 
    		±0.01
    孔与孔的中心距D≥3*ФC/≥2*ФC/
    孔至瓷体边缘距离E≥3*ФC///
    孔帽直径ФF≥ФC+0.05/≥ФC+0.02/
    金属化半孔直径ФG0.4-0.6/0.3-4.0/
    金属化半孔中心距I≥3*ФG///
    上下层孔错位距离J/±0.02/±0.015
    金属化金属化线宽K≥0.1
               
    		±0.02≥0.05±0.015
    金属化线间距L≥0.1±0.02≥0.05±0.015
    金属化线条至瓷体外边缘距离M≥0.2/0/
    金属化线条至瓷体内边缘距离O≥0.2/0/
    内接地层至瓷体开腔边缘距离P≥0.1/0/
    外接地层至瓷体外边缘距离R≥0.1/0/
    金属化栅格线宽S0.2/0/
    栅格线距T0.4/0/
    孔栅间距U≥0.25/≥0.2/

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